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AOTF10B60D2

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    AOTF10B60D2
  • निर्माता / ब्रांड
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IGBT 600V 10A TO-220F
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    AOTF10B60D2.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    600V
  • Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी
    1.8V @ 15V, 5A
  • परीक्षण स्थिति
    400V, 5A, 60 Ohm, 15V
  • टीडी (चालू / बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस
    12ns/83ns
  • स्विचिंग ऊर्जा
    140µJ (on), 40µJ (off)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-220F
  • शृंखला
    Alpha IGBT™
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    98ns
  • पावर - मैक्स
    31.2W
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-220-3 Full Pack
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    26 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    Standard
  • आईजीबीटी प्रकार
    -
  • गेट प्रभारी
    9.4nC
  • विस्तृत विवरण
    IGBT 600V 23A 31.2W Through Hole TO-220F
  • वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)
    20A
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    23A
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AOT8N60

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AOTF10B60D

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निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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विवरण: MOSFET N-CH 650V 8A TO220

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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AOTF10N60_003

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विवरण: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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AOTF10B65M2

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विवरण: IGBT 650V 10A TO220

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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AOTF10N65

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विवरण: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
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AOTF10N60

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विवरण: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

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