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BLF8G10LS-160,112

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BLF8G10LS-160,112
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - टेस्ट
    30V
  • वोल्टेज - रेटेड
    65V
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    LDMOS
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT502B
  • शृंखला
    -
  • बिजली उत्पादन
    35W
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    SOT-502B
  • दुसरे नाम
    934065908112
    BLF8G10LS-160112
  • शोर का आंकड़ा
    -
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    13 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • लाभ
    19.7dB
  • आवृत्ति
    920MHz ~ 960MHz
  • विस्तृत विवरण
    RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W SOT502B
  • वर्तमान मूल्यांकन
    -
  • वर्तमान - टेस्ट
    1.1A
  • आधार भाग संख्या
    BLF8G10
BLF8G19LS-170BV,11

BLF8G19LS-170BV,11

विवरण: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B

निर्माता: Ampleon
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BLF8G09LS-400PWU

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B

निर्माता: Ampleon
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BLF8G10LS-270,118

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B

निर्माता: Ampleon
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BLF8G10LS-270GV,12

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C

निर्माता: Ampleon
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BLF8G10LS-300PJ

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B

निर्माता: Ampleon
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BLF8G10LS-270GVJ

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C

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BLF8G09LS-270WJ

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244B

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BLF8G09LS-400PGWJ

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C

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BLF8G10LS-300PU

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B

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BLF8G09LS-400PWJ

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B

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BLF8G10LS-270,112

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B

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BLF8G09LS-270GWQ

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C

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BLF8G09LS-270GWJ

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1244C

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BLF8G09LS-400PGWQ

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C

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BLF8G10LS-270V,118

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B

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विवरण: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A

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BLF8G09LS-270WU

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