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CDBGBSC101200-G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CDBGBSC101200-G

निर्माता / ब्रांड

Comchip Technology

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विवरण

DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

CDBGBSC101200-G.pdf

वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

1.7V @ 5A

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

1200V

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-247

गति

No Recovery Time > 500mA (Io)

शृंखला

-

रिवर्स वसूली समय (trr)

0ns

पैकेज / प्रकरण

TO-247-3

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 175°C

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

16 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

डायोड प्रकार

Silicon Carbide Schottky

डायोड विन्यास

1 Pair Common Cathode

विस्तृत विवरण

Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 18A (DC) Through Hole TO-247-3

वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

100µA @ 1200V

वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)

18A (DC)

निम्नलिखित "CDBGBSC101200-G" संबंधित उत्पाद हैं।

CDBH38D18NP-R24MC-PR

विवरण: FIXED INDUCTOR SHIELDED

निर्माता: Sumida Corporation

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