CY14B104N-BA20XIT

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CY14B104N-BA20XIT
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

CY14B104N-BA20XIT.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

20ns
वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

48-FBGA (6x10)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

48-TFBGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Non-Volatile
मेमोरी का आकार

4Mb (256K x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

NVSRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 20ns 48-FBGA (6x10)
आधार भाग संख्या

CY14B104
अभिगम समय

20ns

निम्नलिखित "CY14B104N-BA20XIT" संबंधित उत्पाद हैं।

CY14B104N-BA45XI

विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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