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CY14B104N-BA25XI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY14B104N-BA25XI
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    CY14B104N-BA25XI.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    25ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-FBGA (6x10)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Mb (256K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    NVSRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 25ns 48-FBGA (6x10)
  • आधार भाग संख्या
    CY14B104
  • अभिगम समय
    25ns

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CY14B104N-BA25XCT

CY14B104N-BA25XCT

विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

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CY14B104N-BA45XCT

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

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CY14B104N-ZS25XCT

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY14B104N-ZS20XC

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY14B104N-BA20XCT

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY14B104N-BA45XI

CY14B104N-BA45XI

विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY14B104N-ZS25XI

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विवरण: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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CY14B104M-ZSP25XI

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CY14B104N-ZS20XCT

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CY14B104M-ZSP45XIT

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CY14B104N-BA20XI

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CY14B104N-BA45XC

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CY14B104N-BA25XC

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CY14B104M-ZSP45XI

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CY14B104N-BA45XIT

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CY14B104N-ZS25XC

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