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CY14B116N-BZ25XI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY14B116N-BZ25XI
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    CY14B116N-BZ25XI.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    25ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    165-FBGA (15x17)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    165-LBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Mb (1M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    NVSRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    9 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 165-FBGA (15x17)
  • अभिगम समय
    25ns
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CY14B116M-BZ45XIT

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CY14B116N-ZSP25XI

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CY14B116L-ZS25XI

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CY14B116S-BZ25XI

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CY14B116L-ZS25XIT

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CY14B116N-BA25XI

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