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CY62147GE18-55BVXI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY62147GE18-55BVXI
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    CY62147GE18-55BVXI.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    55ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.65 V ~ 2.2 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-VFBGA (6x8)
  • शृंखला
    MoBL®
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Mb (256K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    11 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 48-VFBGA (6x8)
  • अभिगम समय
    55ns
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CY62147GE18-55BVXIT

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CY62147GN18-55BVXI

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CY62147GE30-45BVXI

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CY62147G30-45ZSXA

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CY62147GE-45ZSXIT

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विवरण: MICROPOWER SRAMS

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