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CY7C10212CV33-12BAXE

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY7C10212CV33-12BAXE
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 1M PARALLEL 48FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    12ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-FBGA (7x7)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Mb (64K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    12 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 12ns 48-FBGA (7x7)
  • आधार भाग संख्या
    CY7C10212
  • अभिगम समय
    12ns
CY7C1020D-10VXIT

CY7C1020D-10VXIT

विवरण: IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY7C1020DV33-10VXI

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विवरण: IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY7C1021B-12VC

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY7C1021B-12ZXCT

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY7C1021B-12VXCT

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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CY7C10212DV33-10BVXIT

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CY7C1021B-12VXC

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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CY7C1020DV33-10ZSXI

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विवरण: IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II

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CY7C1021B-12VXI

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CY7C10211BN-10ZXCT

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CY7C1020D-10ZSXIT

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CY7C10212CV33-12BAXET

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