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CY7C1041G30-10BVJXI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY7C1041G30-10BVJXI
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.CY7C1041G30-10BVJXI.pdf
    2.CY7C1041G30-10BVJXI.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    10ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.2 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-VFBGA (6x8)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    48-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Mb (256K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    11 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-VFBGA (6x8)
  • अभिगम समय
    10ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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CY7C1041G30-10VXIT

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CY7C1041G-10ZSXI

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CY7C1041G30-10ZSXI

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CY7C1041G30-10BVJXIT

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CY7C1041G30-10ZSXE

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CY7C1041G30-10ZSXET

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CY7C1041G18-15BVXI

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CY7C1041G30-10ZSXA

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CY7C1041G30-10BAJXET

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CY7C1041G30-10BAJXE

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