CY7C1041GE30-10VXI

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CY7C1041GE30-10VXI

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor

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स्टॉक में

विवरण

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

CY7C1041GE30-10VXI.pdf

लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

10ns

वोल्टेज आपूर्ति

2.2 V ~ 3.6 V

प्रौद्योगिकी

SRAM - Asynchronous

प्रदायक डिवाइस पैकेज

44-SOJ

शृंखला

-

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)

स्मृति के प्रकार

Volatile

मेमोरी का आकार

4Mb (256K x 16)

मेमोरी इंटरफेस

Parallel

मेमोरी प्रारूप

SRAM

निर्माता मानक लीड टाइम

9 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

विस्तृत विवरण

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ

अभिगम समय

10ns

निम्नलिखित "CY7C1041GE30-10VXI" संबंधित उत्पाद हैं।

CY7C1041GN-10VXIT

विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL

निर्माता: Cypress Semiconductor

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