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CY7C1360S-200BGC

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CY7C1360S-200BGC
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3.135 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Synchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    119-PBGA (14x22)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    119-BGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    9Mb (256K x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3ns 119-PBGA (14x22)
  • घड़ी आवृत्ति
    200MHz
  • आधार भाग संख्या
    CY7C1360
  • अभिगम समय
    3ns
CY7C1361C-100AXC

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विवरण: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CY7C1361B-117AJC

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CY7C1360S-166AXCT

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CY7C1360S-166BZC

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CY7C1360C-200BGC

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CY7C1360S-166AXI

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CY7C1361B-100AC

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CY7C1361C-100AXE

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CY7C1360C-200AXCT

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CY7C1360S-166AXC

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CY7C1361C-100AXET

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CY7C1360S-166AJXC

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CY7C1360S-200BGCT

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CY7C1360S-200AXI

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CY7C1361C-100BGC

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