CYD02S36V18-200BBXC

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CYD02S36V18-200BBXC
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

CYD02S36V18-200BBXC.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.9 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Dual Port, Synchronous
प्रदायक डिवाइस पैकेज

256-FBGA (17x17)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

256-LBGA
परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

2Mb (64K x 36)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
घड़ी आवृत्ति

200MHz
आधार भाग संख्या

CYD02S36
अभिगम समय

3.3ns

निम्नलिखित "CYD02S36V18-200BBXC" संबंधित उत्पाद हैं।

CYD04S72V-133BBC

विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 484FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

CYD02S36V18-200BBXC

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