CYD09S72V-133BBI

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CYD09S72V-133BBI
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Dual Port, Synchronous
प्रदायक डिवाइस पैकेज

484-FBGA (23x23)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

484-BGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

9Mb (128K x 72)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (128K x 72) Parallel 133MHz 4.4ns 484-FBGA (23x23)
घड़ी आवृत्ति

133MHz
आधार भाग संख्या

CYD09S72
अभिगम समय

4.4ns

निम्नलिखित "CYD09S72V-133BBI" संबंधित उत्पाद हैं।

CYD09S72V18-200BBXC

विवरण: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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