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CYDD09S36V18-167BBXC

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CYDD09S36V18-167BBXC
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

CYDD09S36V18-167BBXC.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Dual Port, Synchronous
प्रदायक डिवाइस पैकेज

256-FBGA (17x17)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

256-LBGA
परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

5 (48 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

9Mb (128K x 36 x 2)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (128K x 36 x 2) Parallel 167MHz 600ps 256-FBGA (17x17)
घड़ी आवृत्ति

167MHz
आधार भाग संख्या

CYDD
अभिगम समय

600ps

निम्नलिखित "CYDD09S36V18-167BBXC" संबंधित उत्पाद हैं।

CYDD09S36V18-200BBXC

विवरण: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor

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