CYDM064B08-40BVXI

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विशेष विवरण

भाग संख्या

CYDM064B08-40BVXI
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

40ns
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Dual Port, MoBL
प्रदायक डिवाइस पैकेज

100-VFBGA (6x6)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tray
पैकेज / प्रकरण

100-VFBGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

64Kb (8K x 8)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6)
आधार भाग संख्या

CYDM
अभिगम समय

40ns

निम्नलिखित "CYDM064B08-40BVXI" संबंधित उत्पाद हैं।

CYDD18S36V18-200BBXC

विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor

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अग्रिम पंजीकरण

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