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CYDM256B16-40BVXIT

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    CYDM256B16-40BVXIT
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    40ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, MoBL
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    100-VFBGA (6x6)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    100-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Kb (16K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6)
  • आधार भाग संख्या
    CYDM
  • अभिगम समय
    40ns

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CYDM128B08-55BVXI

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विवरण: IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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CYDM128B16-55BVXI

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CYDMX128A16-65BVXI

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CYDM064B16-55BVXI

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निर्माता: Cypress Semiconductor Corp
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CYDMX256A16-65BVXI

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CYDM128B16-40BVXIT

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विवरण: IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

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CYDM256B16-55BVXI

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