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S27KS0641DPBHI020

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S27KS0641DPBHI020
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    S27KS0641DPBHI020.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    DRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    24-BGA (6x8)
  • शृंखला
    HyperRAM™
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    24-TBGA
  • दुसरे नाम
    428-3858
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    64Mb (8M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    15 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8)
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    40ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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S27KL0641DABHV023

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S27KS0641DPBHA020

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S27KL0641DABHI030

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विवरण: IC 64 MB FLASH MEMORY

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S27KL0641DABHB030

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विवरण: IC 64 MB FLASH MEMORY

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S27S300D15YM

S27S300D15YM

विवरण: SENSOR CURRENT HALL 300A AC/DC

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S27KL0641DABHB023

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विवरण: IC NOR

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S27KS0641DPBHI023

S27KS0641DPBHI023

विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S27KL0641DABHI023

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विवरण: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

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S27KS0641DPBHV023

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S27KL0641DABHV033

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विवरण: IC 64 MB FLASH MEMORY

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S27KS0641DPBHB023

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निर्माता: Cypress Semiconductor
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S27KL0641DABHV030

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