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S29GL01GT11TFV010

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S29GL01GT11TFV010
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
  • डाटा शीट
    S29GL01GT11TFV010.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    60ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    56-TSOP
  • शृंखला
    GL-T
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Gb (128M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस
    Lead free
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 110ns 56-TSOP
  • अभिगम समय
    110ns
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  • भुगतान

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S29GL01GT12DHN010

S29GL01GT12DHN010

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL01GT12DHN013

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL

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S29GL01GT12DHM020

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA

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S29GL01GT12DHN023

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL

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S29GL01GT11TFIV33

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S29GL01GT11TFIV40

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विवरण: IC 1 GB FLASH MEMORY

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S29GL01GT11TFIV20

S29GL01GT11TFIV20

विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

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S29GL01GT12DHM023

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S29GL01GT11TFV033

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विवरण: IC 1 GB FLASH MEMORY

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S29GL01GT11TFV020

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S29GL01GT12DHVV10

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S29GL01GT11TFIV10

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S29GL01GT11TFV030

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विवरण: IC 1 GB FLASH MEMORY

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S29GL01GT11TFB023

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S29GL01GT11FHIV40

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S29GL01GT11TFIV30

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S29GL01GT12DHN020

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विवरण: IC FLASH 1G PARALLEL

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