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S29GL064N90BAI042

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S29GL064N90BAI042
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    S29GL064N90BAI042.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    90ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    48-FBGA (8.15x6.15)
  • शृंखला
    GL-N
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    48-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 90ns 48-FBGA (8.15x6.15)
  • अभिगम समय
    90ns
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S29GL064N90BAI040

S29GL064N90BAI040

विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL064N90BFIR40

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निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL064N90BFI032

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S29GL064N90BFI043

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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA

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S29GL064N11TFIV63

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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

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S29GL064N90BFA040

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विवरण: IC 64 MB FLASH MEMORY

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S29GL064N11TFIV20

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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

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S29GL064N90BFI030

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S29GL064N90BFI042

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S29GL064N90BFA043

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S29GL064N90BAI030

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S29GL064N90BAI043

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S29GL064N90BFI033

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S29GL064N11WEI039

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विवरण: IC FLASH 64M PARALLEL DIE

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S29GL064N90BFI040

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S29GL064N11TFIV23

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S29GL064N11WEI049

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S29GL064N11TFIV60

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