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S29GL256P11WEI019

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S29GL256P11WEI019
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 256M PARALLEL WAFER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    110ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Wafer
  • शृंखला
    GL-P
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Die
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (32M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 110ns Wafer
  • अभिगम समय
    110ns
S29GL256P11TFIV13

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निर्माता: Cypress Semiconductor
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निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL256P90DFSS80

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निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL256P11TFI023

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