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S29GL512N10FFA010

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S29GL512N10FFA010
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 512M PARALLEL
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    100ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.7 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NOR
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q100, GL-N
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (64M x 8, 32M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8, 32M x 16) Parallel 100ns
  • अभिगम समय
    100ns
S29GL256S90TFI023

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL256S90TFI010

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विवरण: IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FAIR12

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विवरण: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL512N11FFVR20

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विवरण: IC FLASH 512M PARALLEL

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL512P10FAI010

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विवरण: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S29GL256S90TFI013

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S29GL512N11FFA023

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S29GL512P10FAIR20

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S29GL512P10FAIR22

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