S29GL512T12DHN023

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विशेष विवरण

भाग संख्या

S29GL512T12DHN023

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

IC FLASH 512M PARALLEL

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

S29GL512T12DHN023.pdf

लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

60ns

वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V

प्रौद्योगिकी

FLASH - NOR

शृंखला

GL-T

परिचालन तापमान

-40°C ~ 125°C (TA)

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)

स्मृति के प्रकार

Non-Volatile

मेमोरी का आकार

512Mb (64M x 8)

मेमोरी इंटरफेस

Parallel

मेमोरी प्रारूप

FLASH

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

विस्तृत विवरण

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 120ns

अभिगम समय

120ns

निम्नलिखित "S29GL512T12DHN023" संबंधित उत्पाद हैं।

S29GL512T12DHVV10

विवरण: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

निर्माता: Cypress Semiconductor

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