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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S34MS04G100BHB000
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    45ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    FLASH - NAND
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    63-BGA (11x9)
  • शृंखला
    MS-1
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    63-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Non-Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Gb (512M x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    FLASH
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 45ns 63-BGA (11x9)
  • अभिगम समय
    45ns
S34MS04G100TFI000

S34MS04G100TFI000

विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S34MS02G200GHV000

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विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL

निर्माता: Cypress Semiconductor
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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S34MS02G200GHI000

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विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 67BGA

निर्माता: Cypress Semiconductor
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विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL

निर्माता: Cypress Semiconductor
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विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S34MS04G100TFB003

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

निर्माता: Cypress Semiconductor
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S34MS02G204BHI010

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विवरण: IC FLASH 4G PARALLEL

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निर्माता: Cypress Semiconductor
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विवरण: IC FLASH 2G PARALLEL

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S34MS02G204BHI013

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