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857966DF10M छविDiodes Incorporated

DF10M

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DF10M
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप है
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    1kV
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 1A
  • प्रौद्योगिकी
    Standard
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DFM
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    4-EDIP (0.300", 7.62mm)
  • दुसरे नाम
    DF10MDI
  • परिचालन तापमान
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    7 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Single Phase
  • विस्तृत विवरण
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole DFM
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 1000V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • आधार भाग संख्या
    DF10
DF10S-T

DF10S-T

विवरण: RECT BRIDGE GPP 1A 1000V DFS

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
DF10M-E3/45

DF10M-E3/45

विवरण: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
DF10S

DF10S

विवरण: RECT BRIDGE SMD 1000V 1A 4P DF-S

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

विवरण: IGBT MODULE 1700V 1000A

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

विवरण: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF

विवरण: TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
DF10-31S-2DSA(68)

DF10-31S-2DSA(68)

विवरण: CONN 31 PIN FEMALE STRAIGHT

निर्माता: Hirose
स्टॉक में
DF10G7M1N,LF

DF10G7M1N,LF

विवरण: TVS DIODE 5V 12V 10DFN

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
DF10S

DF10S

विवरण: IC RECT BRIDGE 1000V 1.5A 4-SMD

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
DF10M/45

DF10M/45

विवरण: RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V 4DIP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
DF10-G

DF10-G

विवरण: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF

निर्माता: Comchip Technology
स्टॉक में
DF10-31S-2DSA(62)

DF10-31S-2DSA(62)

विवरण: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

निर्माता: Hirose
स्टॉक में
DF100R07W1H5FPB54BPSA2

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

विवरण: LOW POWER EASY

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
DF10S-E3/45

DF10S-E3/45

विवरण: DIODE GPP 1A 1000V 4SMD

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
DF10MA-E3/45

DF10MA-E3/45

विवरण: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
DF10S-E3/77

DF10S-E3/77

विवरण: DIODE GPP 1A 1000V 4SMD

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
DF10M

DF10M

विवरण: DIODE BRIDGE 1000V 1.5A 4DIP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
DF10G5M4N,LF

DF10G5M4N,LF

विवरण: TVS DIODE 3.6V 24V 10DFN

निर्माता: Toshiba Semiconductor and Storage
स्टॉक में
DF10S-G

DF10S-G

विवरण: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DFS

निर्माता: Comchip Technology
स्टॉक में
DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1

विवरण: IGBT MODULE 1700V 1000A

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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