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1698158DMN1019USN-7 छविDiodes Incorporated

DMN1019USN-7

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMN1019USN-7
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    DMN1019USN-7.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    800mV @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±8V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SC-59
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    680mW (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • दुसरे नाम
    DMN1019USN-7DITR
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    32 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2426pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    50.6nC @ 8V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.2V, 2.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    12V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    9.3A (Ta)
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निम्नलिखित "DMN1019USN-7" संबंधित उत्पाद हैं।
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

विवरण: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1004UFV-13

DMN1004UFV-13

विवरण: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

विवरण: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1006UCA6-7

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विवरण: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1032UCB4-7

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विवरण: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1008UFDF-13

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विवरण: MOSFET N-CH30V SC-59

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

विवरण: MOSFET N-CH 100V 4.2A

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

विवरण: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

विवरण: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

विवरण: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

विवरण: MOSFET N-CH30V SC-59

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMN1004UFV-7

DMN1004UFV-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

निर्माता: Diodes Incorporated
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