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2628014DMN1029UFDB-7 छविDiodes Incorporated

DMN1029UFDB-7

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMN1029UFDB-7
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    DMN1029UFDB-7.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 250µA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    29 mOhm @ 5A, 4.5V
  • पावर - मैक्स
    1.4W
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-UDFN Exposed Pad
  • दुसरे नाम
    DMN1029UFDB-7DICT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    20 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    914pF @ 6V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    19.6nC @ 8V
  • FET प्रकार
    2 N-Channel (Dual)
  • FET फ़ीचर
    Standard
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    12V
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    5.6A
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निम्नलिखित "DMN1029UFDB-7" संबंधित उत्पाद हैं।
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

विवरण: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

विवरण: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1019UVT-13

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विवरण: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

विवरण: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

विवरण: MOSFET N-CH30V SC-59

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1053UCP4-7

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विवरण: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

विवरण: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

विवरण: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

विवरण: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

विवरण: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

विवरण: MOSFET N-CH 100V 4.2A

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

विवरण: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

विवरण: MOSFET N-CH30V SC-59

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

विवरण: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

निर्माता: Diodes Incorporated
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