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3405213DMN2013UFDE-7 छविDiodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMN2013UFDE-7
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    DMN2013UFDE-7.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1.1V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±8V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    660mW (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-UDFN Exposed Pad
  • दुसरे नाम
    DMN2013UFDE-7DITR
    DMN2013UFDE7
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    16 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2453pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    25.8nC @ 8V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.5V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    20V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    10.5A (Ta)
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "DMN2013UFDE-7" संबंधित उत्पाद हैं।
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

विवरण: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

विवरण: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2011UFDF-7

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विवरण: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

विवरण: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

विवरण: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

विवरण: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

विवरण: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

विवरण: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

विवरण: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

विवरण: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

विवरण: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

विवरण: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

विवरण: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

निर्माता: Diodes Incorporated
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