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4129778DMS3016SSS-13 छविDiodes Incorporated

DMS3016SSS-13

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMS3016SSS-13
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    DMS3016SSS-13.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.3V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±12V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    13 mOhm @ 9.8A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.54W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    DMS3016SSS-13DITR
    DMS3016SSS13
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    32 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    1849pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    43nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    Schottky Diode (Body)
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 9.8A (Ta) 1.54W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    9.8A (Ta)
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DMS3014SFGQ-7

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विवरण: MOSFET BVDSS: 25V30V POWERDI333

निर्माता: Diodes Incorporated
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DMS3014SFG-7

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निर्माता: Diodes Incorporated
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