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DMT4011LFG-13

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    DMT4011LFG-13
  • निर्माता / ब्रांड
    Diodes Incorporated
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप है
  • डाटा शीट
    DMT4011LFG-13.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    +20V, -16V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PowerDI3333-8
  • शृंखला
    Automotive, AEC-Q101
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    11 mOhm @ 20A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    15.6W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-PowerVDFN
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    32 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    767pF @ 20V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    15.1nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    40V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 40V 30A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    30A (Tc)
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  • शिपिंग
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DMT4D47K

DMT4D47K

विवरण: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

विवरण: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

विवरण: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

विवरण: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

विवरण: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

विवरण: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT36M1LPS-13

DMT36M1LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT4P22K

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विवरण: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT4P22K-F

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विवरण: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
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RFQ
DMT4005SCT

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विवरण: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT3N4R2U224M3DTA0

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विवरण: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

निर्माता: Murata Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT4P1K

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विवरण: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

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विवरण: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

निर्माता: Murata Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

विवरण: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

विवरण: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

निर्माता: Cornell Dubilier Electronics
स्टॉक में
RFQ
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

विवरण: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

निर्माता: Diodes Incorporated
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RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

विवरण: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

विवरण: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

निर्माता: Diodes Incorporated
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