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HBDM60V600W-7

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    HBDM60V600W-7
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)
    65V, 60V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी
    400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
  • ट्रांजिस्टर प्रकार
    NPN, PNP
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    SOT-363
  • शृंखला
    -
  • पावर - मैक्स
    200mW
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • दुसरे नाम
    HBDM60V600W7
    HBDM60V600WDITR
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    24 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • आवृत्ति - संक्रमण
    100MHz
  • विस्तृत विवरण
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
  • डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce
    100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)
    100nA
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)
    500mA, 600mA
  • आधार भाग संख्या
    HBDM60V600
HBD060ZGE-A2H9

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HBD060ZGE-A8

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HBD060ZGE-A1V

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HBD060ZGE-AHS

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HBD060ZGE-A

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HBD060ZGE-AS11

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HBD060ZGE-AS3

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