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BYG22D-E3/TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BYG22D-E3/TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 2A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    200V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-214AC (SMA)
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    25ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-214AC, SMA
  • दुसरे नाम
    BYG22D
    BYG22D-E3/GITR
    BYG22D-E3/TR-ND
    BYG22D-ND
    BYG22D/54
    BYG22D/54-ND
    BYG22D/TR
    BYG22D/TR-ND
    BYG22DE3TR
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    44 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Avalanche
  • विस्तृत विवरण
    Diode Avalanche 200V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1µA @ 200V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    2A
  • समाई @ वीआर, एफ
    -
  • आधार भाग संख्या
    BYG22D
BYG22BHE3_A/H

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विवरण: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG22BHM3_A/H

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विवरण: DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG22DHM3/TR3

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विवरण: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
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BYG22BHE3/TR

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निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
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