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BYM12-100HE3/96

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BYM12-100HE3/96
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    100V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-213AB
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    SUPERECTIFIER®
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    50ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-213AB
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 100V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    20pF @ 4V, 1MHz
  • आधार भाग संख्या
    BYM12-100
BYM12-100-E3/96

BYM12-100-E3/96

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYM12-100-E3/97

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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BYM11-800HE3_A/I

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

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BYM12-150-E3/96

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BYM12-100HE3/97

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BYM12-100HE3_A/I

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BYM11-800HE3/96

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BYM12-150-E3/97

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विवरण: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

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BYM12-200-E3/96

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

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विवरण: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB

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