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GL34G-E3/83

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GL34G-E3/83
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.2V @ 500mA
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-213AA (GL34)
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    SUPERECTIFIER®
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    1.5µs
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-213AA (Glass)
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -65°C ~ 175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    52 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 400V 500mA Surface Mount DO-213AA (GL34)
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    5µA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    500mA
  • समाई @ वीआर, एफ
    4pF @ 4V, 1MHz
  • आधार भाग संख्या
    GL34G
GL34BHE3/98

GL34BHE3/98

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL34G/1

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

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GL34D-E3/98

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GL34DHE3/98

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निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
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GL34B/1

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GL34J/1

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GL34D-E3/83

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GL34GHE3/98

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GL34J-E3/83

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