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S4PGHM3/86A

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S4PGHM3/86A
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.1V @ 4A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    TO-277A (SMPC)
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    eSMP®
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    2.5µs
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-277, 3-PowerDFN
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 400V 4A Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    4A
  • समाई @ वीआर, एफ
    30pF @ 4V, 1MHz
  • आधार भाग संख्या
    S4PG
S4PD-M3/87A

S4PD-M3/87A

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S4PDHM3_A/H

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S4PG-M3/86A

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
S4PDHM3/87A

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S4PBHM3_A/I

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विवरण: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S4PJHM3_A/I

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A

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S4PJHM3_A/H

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S4PK-M3/86A

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विवरण: DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A

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S4PJ-M3/87A

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S4PJHM3/86A

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S4PDHM3/86A

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