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SI4434DY-T1-E3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SI4434DY-T1-E3
  • निर्माता / ब्रांड
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    SI4434DY-T1-E3.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    TrenchFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    155 mOhm @ 3A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.56W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    SI4434DY-T1-E3TR
    SI4434DYT1E3
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    33 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    50nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    6V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    250V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 250V 2.1A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    2.1A (Ta)
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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निम्नलिखित "SI4434DY-T1-E3" संबंधित उत्पाद हैं।
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

विवरण: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

विवरण: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

विवरण: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

विवरण: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

विवरण: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

विवरण: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

विवरण: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

विवरण: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

विवरण: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

विवरण: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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