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SI8457DB-T1-E1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SI8457DB-T1-E1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    700mV @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±8V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
  • शृंखला
    TrenchFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    19 mOhm @ 3A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    4-UFBGA
  • दुसरे नाम
    SI8457DB-T1-E1CT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2900pF @ 6V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    93nC @ 8V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.8V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    12V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 12V 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    -
SI8460AA-B-IS1

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विवरण: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

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विवरण: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

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विवरण: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

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विवरण: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
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विवरण: DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 16SOIC

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
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विवरण: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

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विवरण: DGTL ISO 1KV 5CH GEN PURP 16SOIC

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