SIE802DF-T1-E3

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SIE802DF-T1-E3

निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

SIE802DF-T1-E3.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.7V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

10-PolarPAK® (L)

शृंखला

TrenchFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.9 mOhm @ 23.6A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

10-PolarPAK® (L)

दुसरे नाम

SIE802DF-T1-E3TR

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

निर्माता मानक लीड टाइम

27 Weeks

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7000pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

160nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

60A (Tc)

निम्नलिखित "SIE802DF-T1-E3" संबंधित उत्पाद हैं।

SIE802DF-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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