SIE806DF-T1-E3

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SIE806DF-T1-E3
निर्माता / ब्रांड

Electro-Films (EFI) / Vishay
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SIE806DF-T1-E3.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±12V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

10-PolarPAK® (L)
शृंखला

TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.7 mOhm @ 25A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

5.2W (Ta), 125W (Tc)
पैकेजिंग

Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण

10-PolarPAK® (L)
दुसरे नाम

SIE806DF-T1-E3CT
SIE806DFT1E3
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

13000pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

250nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

60A (Tc)

निम्नलिखित "SIE806DF-T1-E3" संबंधित उत्पाद हैं।

SIE802DF-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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