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SISH129DN-T1-GE3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SISH129DN-T1-GE3
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.8V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PowerPAK® 1212-8SH
  • शृंखला
    TrenchFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    PowerPAK® 1212-8SH
  • दुसरे नाम
    SISH129DN-T1-GE3TR
  • परिचालन तापमान
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    27 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    3345pF @ 15V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    71nC @ 10V
  • FET प्रकार
    P-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    P-Channel 30V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    14.4A (Ta), 35A (Tc)
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

विवरण: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 30V

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

विवरण: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

विवरण: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SISNAP915EK

SISNAP915EK

विवरण: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

विवरण: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISNAP915DK

SISNAP915DK

विवरण: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
स्टॉक में
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

विवरण: SMALL SIGNAL+P-CH

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

विवरण: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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