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SIUD412ED-T1-GE3

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SIUD412ED-T1-GE3
  • निर्माता / ब्रांड
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    SIUD412ED-T1-GE3.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    900mV @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±5V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PowerPAK® 0806
  • शृंखला
    TrenchFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    340 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    1.25W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Original-Reel®
  • पैकेज / प्रकरण
    PowerPAK® 0806
  • दुसरे नाम
    SIUD412ED-T1-GE3DKR
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    21pF @ 6V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    0.71nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    1.2V, 4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    12V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 12V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    500mA (Tc)
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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शिपिंग
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निम्नलिखित "SIUD412ED-T1-GE3" संबंधित उत्पाद हैं।
IXTK140N20P

IXTK140N20P

विवरण: MOSFET N-CH 200V 140A TO-264

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
SI6465DQ-T1-E3

SI6465DQ-T1-E3

विवरण: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
BUK954R4-40B,127

BUK954R4-40B,127

विवरण: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
AUIRFR8401

AUIRFR8401

विवरण: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
TSM2308CX RFG

TSM2308CX RFG

विवरण: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH TO263-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SBSS84LT1G

SBSS84LT1G

विवरण: MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
BUK626R2-40C,118

BUK626R2-40C,118

विवरण: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

निर्माता: Nexperia
स्टॉक में
RFQ
FQI5N40TU

FQI5N40TU

विवरण: MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
FQU1N80TU

FQU1N80TU

विवरण: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

विवरण: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
AON6782

AON6782

विवरण: MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6

निर्माता: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
स्टॉक में
RFQ
IPA50R500CE

IPA50R500CE

विवरण: MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
SIUD402ED-T1-GE3

SIUD402ED-T1-GE3

विवरण: MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
RFQ
BSD816SNH6327XTSA1

BSD816SNH6327XTSA1

विवरण: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

विवरण: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
SIUD403ED-T1-GE3

SIUD403ED-T1-GE3

विवरण: MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
IXTA220N075T7

IXTA220N075T7

विवरण: MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
RFQ
FDB86360-F085

FDB86360-F085

विवरण: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
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