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660153US1G-E3/61T छविElectro-Films (EFI) / Vishay

US1G-E3/61T

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    US1G-E3/61T
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1V @ 1A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    DO-214AC (SMA)
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    50ns
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    DO-214AC, SMA
  • दुसरे नाम
    US1G-E3/61TGITR
    US1GE361T
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • विस्तृत विवरण
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    10µA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    1A
  • समाई @ वीआर, एफ
    15pF @ 4V, 1MHz
  • आधार भाग संख्या
    US1G
US1G/1

US1G/1

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
US1G-M3/5AT

US1G-M3/5AT

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
US1DHR3G

US1DHR3G

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
US1G M2G

US1G M2G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
US1G R3G

US1G R3G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
US1G-E3/5AT

US1G-E3/5AT

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
US1DWF-7

US1DWF-7

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123F

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
US1GHM2G

US1GHM2G

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
US1DHM2G

US1DHM2G

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
US1GFA

US1GFA

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
US1G-13

US1G-13

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
US1G-TP

US1G-TP

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
US1G-M3/61T

US1G-M3/61T

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
US1G-13-F

US1G-13-F

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
US1GHE3_A/H

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
US1FFA

US1FFA

विवरण: DIODE GEN PURP 300V 1A SOD123FA

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
US1GHE3/61T

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
US1DHE3_A/I

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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US1GHE3/5AT

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
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