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SI8621EC-B-IS

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    SI8621EC-B-IS
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.5 V ~ 5.5 V
  • वोल्टेज - अलगाव
    3750Vrms
  • प्रकार
    General Purpose
  • प्रौद्योगिकी
    Capacitive Coupling
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SOIC
  • शृंखला
    -
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    2.5ns, 2.5ns
  • पल्स चौड़ाई विरूपण (मैक्स)
    4.5ns
  • प्रचार विलंब टीपीएलएच / टीपीएचएल (मैक्स)
    13ns, 13ns
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    336-2066-5
    SI8621ECBIS
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 125°C
  • चैनलों की संख्या
    2
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    2A (4 Weeks)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    6 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • अलग पावर
    No
  • आदानों - साइड 1 / साइड 2
    1/1
  • विस्तृत विवरण
    General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 2 Channel 150Mbps 35kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • डेटा गति
    150Mbps
  • आम मोड क्षणिक प्रतिरक्षा (न्यूनतम)
    35kV/µs
  • आधार emitter संतृप्ति वोल्टेज (मैक्स)
    Unidirectional
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विवरण: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

निर्माता: Energy Micro (Silicon Labs)
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