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H11AA4S(TB)-V

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    H11AA4S(TB)-V
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - आउटपुट (मैक्स)
    80V
  • वोल्टेज - अलगाव
    5000Vrms
  • वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)
    1.2V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स)
    400mV
  • चालू करें / बंद करें समय (टाइप)
    10µs, 10µs (Max)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    6-SMD
  • शृंखला
    -
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    10µs, 10µs (Max)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-SMD, Gull Wing
  • उत्पादन का प्रकार
    Transistor with Base
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 100°C
  • चैनलों की संख्या
    1
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    20 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    AC, DC
  • विस्तृत विवरण
    Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD
  • वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (न्यूनतम)
    100% @ 10mA
  • वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (मैक्स)
    -
  • वर्तमान - आउटपुट / चैनल
    -
  • वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)
    60mA
H11AA4S(TA)

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H11AA4SVM

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H11AA4S1(TB)-V

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H11AA4S1(TB)

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H11AA4SDM

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