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2472613H11AA4SR2M छविAMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11AA4SR2M

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    H11AA4SR2M
  • निर्माता / ब्रांड
    AMI Semiconductor/onsemi
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    H11AA4SR2M.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - आउटपुट (मैक्स)
    30V
  • वोल्टेज - अलगाव
    4170Vrms
  • वोल्ट - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)
    1.17V
  • Vce संतृप्ति (मैक्स)
    400mV
  • चालू करें / बंद करें समय (टाइप)
    -
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    6-SMD
  • शृंखला
    -
  • उठो / पतन समय (टाइप)
    -
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    6-SMD, Gull Wing
  • उत्पादन का प्रकार
    Transistor with Base
  • दुसरे नाम
    H11AA4SR2MCT
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 100°C
  • चैनलों की संख्या
    1
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    9 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट प्रकार
    AC, DC
  • विस्तृत विवरण
    Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
  • वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (न्यूनतम)
    100% @ 10mA
  • वर्तमान हस्तांतरण अनुपात (मैक्स)
    -
  • वर्तमान - आउटपुट / चैनल
    50mA
  • वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (मैक्स)
    60mA
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H11AA814300W

H11AA814300W

विवरण: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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H11AA4S(TB)

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विवरण: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

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H11AA4TVM

H11AA4TVM

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H11AA4S1(TB)

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H11AA4S1(TA)-V

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H11AA4SD

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H11AA4S(TA)-V

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H11AA4S1(TA)

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H11AA4SM

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H11AA4S1(TB)-V

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H11AA4SVM

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H11AA4SR2VM

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विवरण: OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

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H11AA814

H11AA814

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H11AA4S(TB)-V

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विवरण: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6SMD

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H11AA4VM

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H11AA814300

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विवरण: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

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H11AA4TM

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