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MURTA20040

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MURTA20040
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.3V @ 100A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    400V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Three Tower
  • गति
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Three Tower
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
    -55°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    4 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • डायोड विन्यास
    1 Pair Common Cathode
  • विस्तृत विवरण
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400V 100A Chassis Mount Three Tower
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    25µA @ 400V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    100A
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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

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