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MURT40060R

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    MURT40060R
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    1.7V @ 200A
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)
    600V
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Three Tower
  • गति
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • शृंखला
    -
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    240ns
  • पैकेजिंग
    Bulk
  • पैकेज / प्रकरण
    Three Tower
  • दुसरे नाम
    MURT40060RGN
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    4 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • डायोड प्रकार
    Standard
  • डायोड विन्यास
    1 Pair Common Anode
  • विस्तृत विवरण
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    25µA @ 50V
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    400A (DC)
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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

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विवरण: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

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विवरण: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
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विवरण: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

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विवरण: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

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विवरण: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

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