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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    S6K
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    Standard
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    6A
  • वोल्टेज - टूटने
    DO-4
  • शृंखला
    -
  • RoHS स्थिति
    Bulk
  • रिवर्स वसूली समय (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • प्रतिरोध @, तो एफ
    -
  • ध्रुवीकरण
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • दुसरे नाम
    S6KGN
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis, Stud Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    S6K
  • विस्तारित विवरण
    Diode Standard 800V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • डायोड विन्यास
    10µA @ 100V
  • विवरण
    DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    1.1V @ 6A
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति)
    800V
  • समाई @ वीआर, एफ
    -65°C ~ 175°C
RSFDLHR3G

RSFDLHR3G

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 500MA SUBSMA

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
APT60D60BG

APT60D60BG

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
GP10DEHM3/73

GP10DEHM3/73

विवरण: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

निर्माता: Vishay Semiconductor Diodes Division
स्टॉक में
B245AE-13

B245AE-13

विवरण: DIODE SCHOTTKY 45V 2A SMA

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
S6KR

S6KR

विवरण: DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
SPV1002T40

SPV1002T40

विवरण: DIODE GEN PURP 40V 16A TO220

निर्माता: STMicroelectronics
स्टॉक में
UPS1040E3/TR13

UPS1040E3/TR13

विवरण: DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERMITE

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
LLSD103A-13

LLSD103A-13

विवरण: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA MINMELF

निर्माता: Diodes Incorporated
स्टॉक में
VBT2080S-M3/8W

VBT2080S-M3/8W

विवरण: DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO-263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
1N4933-TP

1N4933-TP

विवरण: DIODE GPP FAST 1A DO-41

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

विवरण: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
EGL41BHE3_A/H

EGL41BHE3_A/H

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
JANTX1N5616US

JANTX1N5616US

विवरण: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

निर्माता: Microsemi
स्टॉक में
RGP15MHE3/73

RGP15MHE3/73

विवरण: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SE12DJHM3/I

SE12DJHM3/I

विवरण: DIODE GEN PURP 600V 3.2A TO263AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
VS-VSKE196/12PBF

VS-VSKE196/12PBF

विवरण: DIODE GP 1.2KV 195A INTAPAK

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
FESF16FTHE3/45

FESF16FTHE3/45

विवरण: DIODE GEN PURP 300V 16A ITO220AC

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
SS210-M3/52T

SS210-M3/52T

विवरण: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AA

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
VBT3045BP-M3/8W

VBT3045BP-M3/8W

विवरण: DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-263AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
IRD3CH11DD6

IRD3CH11DD6

विवरण: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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