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GP2M002A060CG

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    GP2M002A060CG
  • निर्माता / ब्रांड
    SemiQ
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    GP2M002A060CG.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    5V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±30V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D-Pak
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    4 Ohm @ 1A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    52.1W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    360pF @ 25V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    9nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    600V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 600V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    2A (Tc)

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निम्नलिखित "GP2M002A060CG" संबंधित उत्पाद हैं।
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2L24BJ00F

GP2L24BJ00F

विवरण: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
RFQ
GP2D15J0000F

GP2D15J0000F

विवरण: SENSOR DIST MEASUR 24CM DIGI

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
RFQ
GP2L24

GP2L24

विवरण: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

विवरण: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

विवरण: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
RFQ
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

विवरण: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 2A

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2L20R

GP2L20R

विवरण: PHOTOINTERRUPTER REFLEC 13MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
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RFQ
GP2L24ABJ00F

GP2L24ABJ00F

विवरण: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
RFQ
GP2D150AJ00F

GP2D150AJ00F

विवरण: SENSOR DIST MEASUR 15CM DIGI

निर्माता: Sharp Microelectronics
स्टॉक में
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

विवरण: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

विवरण: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

निर्माता: Global Power Technologies Group
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GP2L26

GP2L26

विवरण: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

निर्माता: Sharp Microelectronics
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GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

विवरण: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
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GP2L24BCJ00F

GP2L24BCJ00F

विवरण: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

निर्माता: Sharp Microelectronics
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GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

विवरण: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

निर्माता: Global Power Technologies Group
स्टॉक में
RFQ
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