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6116SA25TPGI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    6116SA25TPGI
  • निर्माता / ब्रांड
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    6116SA25TPGI.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    25ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    24-PDIP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    24-DIP (0.300", 7.62mm)
  • दुसरे नाम
    IDT6116SA25TPGI
    IDT6116SA25TPGI-ND
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    16Kb (2K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 25ns 24-PDIP
  • आधार भाग संख्या
    IDT6116
  • अभिगम समय
    25ns
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  • शिपिंग
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6116SA20TDB

6116SA20TDB

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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6116SA20TPGI

6116SA20TPGI

विवरण: IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP

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6116SA45DB

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विवरण: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

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6116SA55DB

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विवरण: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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6116SA25TPG

6116SA25TPG

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6116SA55TDB

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विवरण: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

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6116SA90DB

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6116SA20TPG

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6116SA35SOG

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6116SA25SOG

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6116SA70DB

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विवरण: IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

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6116SA35TDB

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6116SA45TDB

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6116SA35SOG8

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6116SA20SOG8

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6116SA25TDB

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6116SA25SOGI8

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6116SA25SOG8

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