70P255L90BYGI8

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विशेष विवरण

भाग संख्या

70P255L90BYGI8
निर्माता / ब्रांड

IDT (Renesas Electronics Corporation)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

70P255L90BYGI8.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

90ns
वोल्टेज आपूर्ति

1.7 V ~ 1.9 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Dual Port, Asynchronous
प्रदायक डिवाइस पैकेज

100-CABGA (6x6)
शृंखला

-
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

100-TFBGA
दुसरे नाम

IDT70P255L90BYGI8
IDT70P255L90BYGI8-ND
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

128Kb (8K x 16)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 90ns 100-CABGA (6x6)
अभिगम समय

90ns

निम्नलिखित "70P255L90BYGI8" संबंधित उत्पाद हैं।

70P259L90BYGI

विवरण: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)

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अग्रिम पंजीकरण

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